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電子產(chǎn)品高溫老化房原理

電子產(chǎn)品在生產(chǎn)制造時(shí),因設計不合理、原材料或工藝措施方面的原因引起產(chǎn)品的質(zhì)量問(wèn)題有兩類(lèi),*類(lèi)是產(chǎn)品的性能參數不達標,生產(chǎn)的產(chǎn)品不符合使用要求;第二類(lèi)是潛在的缺陷,這類(lèi)缺陷不能用一般的測試手段發(fā)現,而需要在使用過(guò)程中逐漸地被暴露,如硅片表面污染、組織不穩定、焊接空洞、芯片和管殼熱阻匹配不良等等。一般這種缺陷需要在元器件工作于額定功率和正常工作溫度下運行一千個(gè)小時(shí)左右才能全部被激活(暴露)。顯然,對每只元器件測試一千個(gè)小時(shí)是不現實(shí)的,所以需要對其施加熱應力和偏壓,例如進(jìn)行高溫功率應力試驗,來(lái)加速這類(lèi)缺陷的提早暴露。也就是給電子產(chǎn)品施加熱的、電的、機械的或多種綜合的外部應力,模擬嚴酷工作環(huán)境,消除加工應力和殘余溶劑等物質(zhì),使潛伏故障提前出現,盡快使產(chǎn)品通過(guò)失效浴盆特性初期階段,進(jìn)入高可*的穩定期。

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